氮化鎵

氮化鎵簡介

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氮化鎵知識

• 納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機Galaxy S23采用

  從三星S22到S23，下一代GaNFast?技術持續在超便攜、超快充的手機市場中取代傳統硅功率芯片

  2023-11-03 標簽： 電動汽車 OLED屏 氮化鎵 85 0

• Power Integrations發布全球電壓最高的單開關氮化鎵電源IC

  新型PowiGaN開關為工業應用提供了巨大的裕量，在具有挑戰性的電網環境中尤為重要。 Power Integration

  2023-11-02 標簽： 散熱器 Power 氮化鎵 275 0

• COSEL推出用于工業應用的新一代高度緊湊型電源

  基于氮化鎵和平面磁性等最新電力電子技術，新型電源可為工業應用節省高達58%的電路板空間。 COSEL 的 TE 系列是用

  2023-11-02 標簽： 電源 電子技術 氮化鎵 80 0

• 

  一文詳解PowiGaN、硅和SiC性能比較

  基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關是PI恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產品系列。它采用同步整流

  2023-11-02 標簽： MOS管 氮化鎵 GaN 46 0

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  什么是氮化鎵(GaN)？GaN的優勢和應用領域

  GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因為我們離不開電源。

  2023-11-02 標簽： 半導體 功率開關 氮化鎵 45 0

• 

  預匹配氮化鎵功放管參考應用電路

  基于D1A32 GaN器件設計的功放，在1.3-1.8GHz內, 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注

  2023-11-02 標簽： 雷達 氮化鎵 GaN 23 0

• 氮化鎵快充控制芯片是什么

  氮化鎵（GaN）是第三代半導體材料，其運行速度比舊式慢速硅（Si）技術加快了二十倍，并且能夠實現高出三倍的功率，用于尖端

  2023-11-01 標簽： 芯片 半導體 氮化鎵 64 0

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  小米140W氮化鎵充電器拆解評測

  PFC開關管來自納微，型號NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內置驅動器以及高精度無損耗電流采樣電路，消除取

  2023-10-31 標簽： 充電器 DC-DC 氮化鎵 85 0

• Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開關IC

  ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票

  2023-10-31 標簽： 開關 IC 氮化鎵 94 0

• 氮化鎵芯片如何選擇？

  氮化鎵芯片的選用要從實際應用出發，結合實際使用場景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達到最佳的性能和效果。明確應用場景。首先要

  2023-10-26 標簽： 芯片 IC 氮化鎵 127 0

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氮化鎵技術

一文詳解PowiGaN、硅和SiC性能比較

基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關是PI恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術...

2023-11-02 標簽： MOS管氮化鎵GaN 46 0

什么是氮化鎵(GaN)？GaN的優勢和應用領域

GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因為我們離不開電源。

2023-11-02 標簽： 半導體功率開關氮化鎵 45 0

預匹配氮化鎵功放管參考應用電路

基于D1A32 GaN器件設計的功放，在1.3-1.8GHz內, 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS...

2023-11-02 標簽： 雷達氮化鎵GaN 23 0

小米140W氮化鎵充電器拆解評測

PFC開關管來自納微，型號NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內置驅動器以及高精度無損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136C內置...

2023-10-31 標簽： 充電器DC-DC氮化鎵 85 0

氮化鎵（GaN）寬帶隙技術的電源應用設計

隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體技術的時機已經成熟。傳統硅MOSFET和IGBT的性能現在接近材料的...

2023-10-25 標簽： 寬帶氮化鎵GaN 328 0

訊天宏100W氮化鎵充電器詳細的拆解報告

訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導熱墊加強散熱。充電器內置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內...

2023-10-20 標簽： 二極管充電器氮化鎵 187 0

垂直GaN功率器件徹底改變功率半導體

使用GaN（氮化鎵）的功率半導體作為節能/低碳社會的關鍵器件而受到關注。兩家日本公司聯手創造了一項新技術，解決了導致其全面推廣的問題。

2023-10-20 標簽： 充電器晶圓氮化鎵 173 0

氮化鎵晶體管簡化大電流電機驅動逆變器設計

叉車應用的逆變器由 24 V 至 120 V 之間的直流電壓供電，可提供高達 900 ARMS 電機相電流。通常，每個生產商都有一個平臺方法，并銷售按電...

2023-10-18 標簽： 逆變器微處理器電機驅動 164 0

氮化鎵功率芯片功率曲線分析 氮化鎵功率器件的優缺點

不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實...

2023-10-16 標簽： 電容器功率器件氮化鎵 183 0

基于氮化鎵的高頻圖騰柱PFC優化設計

眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統提高頻率運行，實現高功率密度和高效率帶來可能。然而，在高頻下需要對EMI性能進行評估以滿足EMC法規（例如EN55...

2023-10-16 標簽： 衰減器氮化鎵PFC電路 457 0

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氮化鎵資訊

納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機Galaxy S23采用

從三星S22到S23，下一代GaNFast技術持續在超便攜、超快充的手機市場中取代傳統硅功率芯片 加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊?—?納微半導...

2023-11-03 標簽： 智能手機充電器氮化鎵 55 0

納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機Galaxy S23采用

從三星S22到S23，下一代GaNFast?技術持續在超便攜、超快充的手機市場中取代傳統硅功率芯片

2023-11-03 標簽： 電動汽車OLED屏氮化鎵 81 0

半導體“黑科技”：氮化鎵（GaN）是何物？

氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了...

2023-11-03 標簽： 半導體氮化鎵GaN 88 0

譽鴻錦半導體媒體開放日，現場見證Super IDM產業效率革命

譽鴻錦半導體在10月27日舉辦“媒體開放日”活動，就兩周前行業發布會上提出的”Super IDM“做了現場產線展示和上下游產業鏈企業詳解。多家半導體行業...

2023-11-02 標簽： 氮化鎵GaNIDM 29 0

高中低壓全品線布局！一家快速發展的國產氮化鎵IDM芯片廠商

據了解，致能科技成立于2018年，專注于寬禁帶半導體氮化鎵功率器件在電力電子領域的應用。近年來，公司的發展勢頭愈發亮眼，已研發出了650V、900V系列...

2023-11-02 標簽： 芯片新能源汽車氮化鎵 312 0

Power Integrations發布全球電壓最高的單開關氮化鎵電源IC

新型PowiGaN開關為工業應用提供了巨大的裕量，在具有挑戰性的電網環境中尤為重要。 Power Integrations發布了全球電壓最高的單開關氮化...

2023-11-02 標簽： 散熱器Power氮化鎵 275 0

COSEL推出用于工業應用的新一代高度緊湊型電源

基于氮化鎵和平面磁性等最新電力電子技術，新型電源可為工業應用節省高達58%的電路板空間。 COSEL 的 TE 系列是用于工業應用的新一代高度緊湊型電源...

2023-11-02 標簽： 電源電子技術氮化鎵 80 0

揭秘寬禁帶器件檢測要點？

雖然氮化鎵的HEMT器件相對碳化硅來說起步晚了點，但是現在氮化鎵的HEMT器件的勢頭非常迅猛，所以對于氮化鎵器件的生產廠家來說，評測氮化鎵器件的緊迫性也...

2023-11-02 標簽： 芯片設計功率器件氮化鎵 24 0

氮化鎵快充控制芯片是什么

氮化鎵（GaN）是第三代半導體材料，其運行速度比舊式慢速硅（Si）技術加快了二十倍，并且能夠實現高出三倍的功率，用于尖端快速充電器產品時，可以實現遠遠超...

2023-11-01 標簽： 芯片半導體氮化鎵 64 0

Power Integrations發布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC

Power Integrations 近日發布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開關技術。InnoS...

2023-10-31 標簽： MOSFET氮化鎵電源IC 378 0